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参数资料
| 型号： | SI4134DY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 846pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si4134DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
16.0
12. 8
9.6
6.4
3.2
0.0
0
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Current Derating*
6.0
4. 8
3.6
2.4
1.2
0.0
2.0
1.6
1.2
0. 8
0.4
0.0
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Power, Junction-to-Foot
T A - Am b ient Temperat u re (°C)
Power Derating, Junction-to-Ambient
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
Document Number: 68999
S11-0650-Rev. C, 11-Apr-11
www.vishay.com
5
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4158DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 20V 8-SOIC |
| SI4170DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC |
| SI4174DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC |
| SI4186DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC |
| SI4190ADY-T1-GE3 | MOSF N CH 100V 18.4A SO8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4134DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 14A 5.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| Si4134T-BM | 功能描述:射频无线杂项 Aero+ RF Synthesizer RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel |
| Si4134T-GM | 功能描述:射频无线杂项 Aero+ RF Synthesizer RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel |
| SI4134T-GMR | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述: |
| SI4136 | 制造商:SILABS 制造商全称:SILABS 功能描述:ISM RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS |
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