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参数资料
| 型号： | SI4158DY-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 20V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 36.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 132nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5710pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
Si4158DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
70
56
42
2 8
V GS = 10 thru 3 V
1.5
1.2
0.9
0.6
T C = 25 °C
14
V GS = 2 V
0.3
T C = 125 °C
0
0.0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
0.0035
0.0031
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
7000
5600
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.0027
0.0023
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
4200
2 8 00
0.0019
0.0015
1400
0
C rss
C oss
0
14
2 8
42
56
70
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 20 A
V DS = 10 V
1.6
I D = 15 A
V DS = 5 V
1.4
6
4
2
0
V DS = 15 V
1.2
1.0
0. 8
0.6
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
0
1 8
36
54
72
90
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 69054
S-82775-Rev. A, 17-Nov-08
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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| SI4162DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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