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参数资料
| 型号： | SI4505DY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V，8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A，3.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 7.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 5V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si4505DY
Vishay Siliconix
N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.10
0.08
10
1
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
0.06
0.04
0.02
0.00
I D = 7.8 A
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
0.4
0.2
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μ A
100
80
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.0
60
- 0.2
40
- 0.4
- 0.6
- 0.8
20
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
T J - Temperature ( ° C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited by R DS(on) *
1 mS
10
1
T A = 25 °C
10 mS
100 mS
0.1
Single Pulse
1S
10 S
DC
0.01
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area
www.vishay.com
4
Document Number: 71826
S09-0868-Rev. C, 18-May-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-PC538-250 | OSC 250 MHZ 3.3V PECL SMD |
| FXO-PC735-450 | OSC 450 MHZ 3.3V PECL SMD |
| 71EDF36-01PAJN | SWITCH ROTARY 1DECK 1POLE |
| 71EDF30-01PAJS | SWITCH ROTARY 1DECK 1POLE |
| CD14.1101.151 | MOD PWR 5-FUNCTION 1A 4.8QC SCRW |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4505DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30/8.0V 7.8/5.0A 18/42mohm @ 10/4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4511DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI4511DY_06 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI4511DY_09 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI4511DY-E3 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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