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参数资料
| 型号： | SI4505DY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V，8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A，3.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 7.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 5V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si4505DY
Vishay Siliconix
P-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
40
32
V GS = 5 V thru 3.5 V
30
24
T C = - 55 ° C
25 ° C
3V
24
18
125 ° C
16
8
0
2.5 V
2V
1.5 V
12
6
0
0
2
4
6
8
10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0.10
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
2000
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.08
1600
C iss
0.06
V GS = 2.5 V
1200
0.04
0.02
V GS = 4.5 V
800
400
C rss
C oss
0.00
0
5
10
15
20
25
0
0
2
4
6
8
6
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
5
V DS = - 4 V
I D = 5 A
1.4
V GS = 4.5 V
I D = 5 A
4
1.2
3
1.0
2
1
0
0.8
0.6
0
3
6
9
12
15
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
6
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature ( ° C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 71826
S09-0868-Rev. C, 18-May-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-PC538-250 | OSC 250 MHZ 3.3V PECL SMD |
| FXO-PC735-450 | OSC 450 MHZ 3.3V PECL SMD |
| 71EDF36-01PAJN | SWITCH ROTARY 1DECK 1POLE |
| 71EDF30-01PAJS | SWITCH ROTARY 1DECK 1POLE |
| CD14.1101.151 | MOD PWR 5-FUNCTION 1A 4.8QC SCRW |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4505DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30/8.0V 7.8/5.0A 18/42mohm @ 10/4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4511DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI4511DY_06 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI4511DY_09 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI4511DY-E3 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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