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参数资料
| 型号： | SI4505DY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V，8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A，3.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 7.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 5V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si4505DY
Vishay Siliconix
P-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
Notes:
P DM
t 1
0.1
0.01
0.05
0.02
Single Pulse
t 1
t 2
1. Duty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 85 ° C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
10 - 4
10 - 3
10 - 2
10 - 1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
10 - 4
10 - 3
10 - 2
10 - 1
1
10
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?71826 .
www.vishay.com
8
Document Number: 71826
S09-0868-Rev. C, 18-May-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-PC538-250 | OSC 250 MHZ 3.3V PECL SMD |
| FXO-PC735-450 | OSC 450 MHZ 3.3V PECL SMD |
| 71EDF36-01PAJN | SWITCH ROTARY 1DECK 1POLE |
| 71EDF30-01PAJS | SWITCH ROTARY 1DECK 1POLE |
| CD14.1101.151 | MOD PWR 5-FUNCTION 1A 4.8QC SCRW |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4505DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30/8.0V 7.8/5.0A 18/42mohm @ 10/4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4511DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI4511DY_06 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| SI4511DY-E3 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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