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参数资料
| 型号： | SI4562DY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 7.1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.6V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 4.5V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si4562DY
Vishay Siliconix
N- and P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
N-Channel
P-Channel
S 1
G 1
1
2
V DS (V)
20
- 20
SO-8
R DS(on) ( Ω )
0.025 at V GS = 4.5 V
0.035 at V GS = 2.5 V
0.033 at V GS = - 4.5 V
0.050 at V GS = - 2.5 V
D 1
8
D 1
7
I D (A)
7.1
6.0
- 6.2
- 5.0
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET: 2.5 Rated
? Compliant to RoHS directive 2002/95/EC
D 1
S 2
S 2
G 2
3
4
6
5
D 2
D 2
G 1
G 2
Top V ie w
Orderin g Information: Si4562DY-T1-E3 (Lead (P b )-free)
S 1
D 2
Si4562DY -T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
N -Channel MOSFET
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Symbol
N-Channel
P-Channel
Unit
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
V DS
V GS
20
± 12
- 20
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
I S
P D
T J , T stg
7.1
5.7
40
1.7
2.0
1.3
- 55 to 150
- 6.2
- 4.9
- 40
- 1.7
A
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
N- or P-Channel
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
a
R thJA
62.5
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on FR4 board, t ≤ 10 s.
Document Number: 70717
S09-0867-Rev. C, 18-May-09
www.vishay.com
1
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PDF描述 |
|---|---|
| B32656A105K | FILM CAP 1.000UF 10% 1000V |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4562DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 7.1/6.2A 2.0W 25/33mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4563DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET N-AND P-CH 40V(D-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4563DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 8.0A 3.25W 16/25mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4564DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 40 V (D-S) MOSFET |
| SI4564DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 10A/9.2A N&P-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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