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参数资料
| 型号： | SI4562DY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 7.1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.6V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 4.5V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si4562DY
Vishay Siliconix
N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
40
30
20
10
V GS = 5 V thru 3 V
2.5 V
2 V
40
30
20
10
T C = 125 °C
25 °C
0
1 V, 1.5 V
0
- 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.10
0.0 8
0.06
0.04
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
4000
3200
2400
1600
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
V GS = 2.5 V
C oss
0.02
0.00
V GS = 4.5 V
8 00
0
C rss
0
10
20
30
40
0
4
8
12
16
20
5
4
3
2
1
0
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 10 V
I D = 7.1 A
1.6
1.4
1.2
1.0
0. 8
0.6
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
V GS = 4.5 V
I D = 7.1 A
0
5
10
15
20
25
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 70717
S09-0867-Rev. C, 18-May-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
|---|---|
| B32656A105K | FILM CAP 1.000UF 10% 1000V |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4562DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 7.1/6.2A 2.0W 25/33mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4563DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET N-AND P-CH 40V(D-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4563DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 8.0A 3.25W 16/25mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4564DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 40 V (D-S) MOSFET |
| SI4564DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 10A/9.2A N&P-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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