- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18191 > SI4562DY-T1-E3 (Vishay Siliconix)MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SI4562DY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 7.1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.6V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 4.5V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si4562DY
Vishay Siliconix
N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
40
10
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.10
0.0 8
0.06
0.04
0.02
0.00
I D = 7.1 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
0.4
0.2
0.0
- 0.2
- 0.4
- 0.6
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μ A
30
24
1 8
12
6
0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.10
1.00
10.00
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power
2
1
D u ty Cycle = 0.5
0.2
N otes:
t 1
0.1
0.01
0.1
0.05
0.02
Single P u lse
P DM
t 1
t 2
1. D u ty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 62.5 °C/ W
3. T JM ? T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
30
Sq u are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 70717
S09-0867-Rev. C, 18-May-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32656A105K | FILM CAP 1.000UF 10% 1000V |
| FXO-LC735R-210 | OSC 210 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| B32676G4156K | CAP FILM 15UF 450VDC RADIAL |
| 5145.0881.111 | MOD INLET/CB/STD FILTER 1A PNL |
| B32686A474J | FILM CAP 0.4700UF 5% 1000V MFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4562DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 7.1/6.2A 2.0W 25/33mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4563DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET N-AND P-CH 40V(D-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4563DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 8.0A 3.25W 16/25mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4564DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 40 V (D-S) MOSFET |
| SI4564DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 10A/9.2A N&P-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。