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参数资料
| 型号： | SI4814BDY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | LITTLE FOOT® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A，10.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 3.3W，3.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si4814BDY
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
R DS(on) ( Ω )
I D (A) a Q g (Typ.)
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Available
Channel-1
Channel-2
30
0.018 at V GS = 10 V
0.023 at V GS = 4.5 V
0.018 at V GS = 10 V
0.022 at V GS = 4.5 V
10
8.5
10.5
9.3
6.6
8.9
? LITTLE FOOT ? Plus Integrated Schottky
? 100 % R g Tested
APPLICATIONS
? ADC/DC Converters
SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY
- Notebook
V DS (V)
30
V SD (V)
Diode Forward Voltage
0.50 V at 1.0 A
SO-8
I F (A)
2.0
G 1
D 1
D 1
1
8
G 1
N-Channel 1
D 1
G 2
S 2
2
3
4
7
6
5
S 1 /D 2
S 1 /D 2
S 1 /D 2
MOSFET
G 2
S 1 /D 2
Schottky Diode
Top View
N-Channel 2
Ordering Information: Si4814BDY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si4814BDY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
MOSFET
S 2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Channel-1
10
30
20
Channel-2
10.5
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a,b
T C = 70 °C
T A = 25 °C
I D
7.5
8
a, b, c
8.3
7.8 a, b, c
T A = 70 °C
6 a ,b, c
6.3 a, b, c
Pulsed Drain Current (10 μs Pulse Width)
I DM
40
40
A
Continuous Source-Drain Diode Current
PulseD Source-Drain Current
Single-Pulse Avalanche Current
Single-Pulse Avalanche Energy
T C = 25 °C
T A = 25 °C
L = 0.1 mH
T C = 25 °C
I S
I SM
I AS
E AS
3
1.7 a, b, c
40
3.3
15
11.2
3.2
1.8 a, b, c
40
3.5
mJ
1.9
Maximum Power Dissipation a, b
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
2.1
a, b, c
2.2
2.0 a, b, c
W
T A = 70 °C
1.2 a, b, c
1.3 a, b, c
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
°C
Notes:
a. Based on T C = 25 °C.
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
c. t = 10 s.
Document Number: 73278
S09-0394-Rev. C, 09-Mar-09
www.vishay.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| SI4814BDY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 10/10.5A 18mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4814DY | 功能描述:MOSFET 30V 7/7.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4814DY-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 7/7.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4814DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30 Volt 7.0/7.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4816BDY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
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