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参数资料
| 型号： | SI4814BDY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | LITTLE FOOT® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A，10.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 3.3W，3.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si4814BDY
Vishay Siliconix
CHANNEL-1 TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
40
0.05
10
1
0.1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.04
0.03
0.02
0.01
0.00
I D = 7.5 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
0.4
0.2
0.0
- 0.2
- 0.4
- 0.6
- 0.8
V SD – Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μA
120
100
80
60
40
20
0
V GS – Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
T J – Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
Limited by R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
I DM Limited
10
1 ms
1
0.1
0.01
I D(on)
Limited
T C = 25 °C
Single Pulse
BVDSS Limited
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
0.1
1
10
100
V DS – Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area
Document Number: 73278
S09-0394-Rev. C, 09-Mar-09
www.vishay.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-LC735R-1000 | OSC 1000 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| B32656J1154K | FILM CAP 0.150UF 10% 1600V |
| B32676G6146K | CAP FILM 14UF 630VDC RADIAL |
| G3T29AH-R | SW TOGGLE DPDT .150" RT ANG SMD |
| M2021ES1W03 | SW TOGGLE DPST FLAT THR SLV PC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4814BDY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 10/10.5A 18mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4814DY | 功能描述:MOSFET 30V 7/7.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4814DY-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 7/7.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4814DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30 Volt 7.0/7.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4816BDY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
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