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参数资料
| 型号： | SI4814BDY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 2/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | LITTLE FOOT® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A，10.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 3.3W，3.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si4814BDY
Vishay Siliconix
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Channel-1
Channel-2
Parameter
Symbol
Typ.
Max.
Typ.
Max.
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 10 s
Steady State
R thJA
R thJF
54
32
65
38
47
30
60
35
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. Maximum under Steady State conditions is 112 °C/W for Channel 1 and 107 °C/W for Channel 2.
MOSFET SPECIFICATIONS T J = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ. a
Max.
Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage
V DS
V GS = 0 V, I D = 250 μA
Ch-1
Ch-2
30
30
V
V DS Temperature Coefficient
V GS(th) Temperature Coefficient
Gate Threshold Voltage
Δ V DS /T J
Δ V GS(th) /T J
V GS(th)
I D = 250 μA
V DS = V GS , I D = 250 μA
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
1.5
1.5
24
25
-6
-6
3.0
2.7
mV/°C
V
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
On-State Drain Current b
I GSS
I DSS
I D(on)
V DS = 0 V, V GS = 20 V
V DS = 30 V, V GS = 0 V
V DS = 30 V, V GS = 0 V, T J = 85 °C
V DS = 5 V, V GS = 10 V
V GS = 10 V, I D = 10 A
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
20
20
0.0145
100
100
1
100
15
2000
0.018
nA
μA
A
Drain-Source On-State Resistance b
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 10.5 A
V GS = 4.5 V, I D = 8.5 A
Ch-2
Ch-1
0.015
0.019
0.018
0.023
Ω
V GS = 4.5 V, I D = 9.3 A
Ch-2
0.018
0.022
Forward Transconductance b
g fs
V DS = 15 V, I D = 10 A
V DS = 15 V, I D = 10.5 A
Ch-1
Ch-2
30
35
S
Diode Forward Voltage b
V SD
I S = 1.7 A, V GS = 0 V
I S = 1 A, V GS = 0 V
Ch-1
Ch-2
0.75
0.47
1.1
0.5
V
Dynamic a
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Q g
Q gs
Q gd
Channel-1
V DS = 15 V, V GS = 4.5 V, I D = 10 A
Channel-2
V DS = 15 V, V GS = 4.5 V, I D = - 10.5 A
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
6.6
8.9
2.9
3.4
2.3
2.4
10
14
nC
Gate Resistance
R g
Ch-1
Ch-2
0.5
0.5
1.9
2.3
2.9
3.5
Ω
www.vishay.com
2
Document Number: 73278
S09-0394-Rev. C, 09-Mar-09
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
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| SI4816BDY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
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