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参数资料
| 型号： | SI4914DY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.5A，5.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.5nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.1W，1.16W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI4914DY-T1-E3DKR |
Si4914DY
Vishay Siliconix
CHANNEL-1 TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless noted
40
T J = 150 °C
0.10
0.08
10
1
T J = 25 °C
0.06
0.04
0.02
0.00
I D = 7 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
0.4
V SD – Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
200
V GS – Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.2
I D = 250 μ A
160
0.0
120
- 0.2
80
- 0.4
- 0.6
- 0.8
40
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
T J – Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
r DS(on) Limited
Time (sec)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
I DM Limited
10
1 ms
1
0.1
0.01
I D(on)
Limited
T C = 25 °C
Single Pulse
BV DSS Limited
10 ms
100 ms
1s
10 s
dc
0.1
1
10
100
V DS – Drain-to-Source Voltage (V)
Safe Operating Area
www.vishay.com
4
Document Number: 72938
S-61959-Rev. C, 09-Oct-06
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4916DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SI4916DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30 Volt 6.6/8.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4916DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 10/10.5A 18mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4920DY | 功能描述:MOSFET SO8 DUAL NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4920DY | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET DUAL NN SO-8 |
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