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参数资料
| 型号： | SI5975DC-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 86 毫欧 @ 3.1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 450mV @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 1206-8 ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si5975DC
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 12 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
- 12
R DS(on) ( Ω )
0.086 at V GS = - 4.5 V
0.127 at V GS = - 2.5 V
0.164 at V GS = - 1.8 V
I D (A)
- 4.1
- 3.4
- 3.0
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFETs: 1.8 V Rated
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
1206-8 ChipFET ?
S 1
1
S 1
S 2
D 1
G 1
D 1
S 2
Marking Code
G 1
G 2
DD XX
D 2
D 2
G 2
Lot Traceability
and Date Code
Part # Code
Bottom View
Ordering Information: Si5975DC-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si5975DC-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
D 1
P-Channel MOSFET
D 2
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
5s
- 12
±8
Steady State
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current
T A = 25 °C
T A = 85 °C
I D
I DM
- 4.1
- 3.0
- 10
- 3.1
- 2.2
A
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
I S
- 1.8
- 0.9
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak Temperature) b, c
T A = 25 °C
T A = 85 °C
P D
T J , T stg
2.1
1.1
- 55 to 150
260
1.1
0.6
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 5s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
50
90
30
60
110
40
°C/W
Notes:
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. See reliability manual for profile. The ChipFET is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper (not plated) as a result
of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not required to ensure
adequate bottom side solder interconnection.
c. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.
Document Number: 71320
S10-0936-Rev. C, 19-Apr-10
www.vishay.com
1
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PDF描述 |
|---|---|
| 4301.6012 | MOD PWR ENTRY 2A QC 1POS PANEL |
| B32676E6685K | CAP FILM 6.8UF 630VDC RADIAL |
| M2032SS1W01-BA | SW TOGGLE 3PDT BAT THR SLV SLD |
| CX2016DB26000D0FLJC1 | CRYSTAL 26.000MHZ 8PF SMD |
| 5200.0823.1 | MOD PWR INLET STD FILTER 8A PNL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI5975DC-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:TrenchFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
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| SI5997DU-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 6A 10.4W 54mOhms @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI5999EDU-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 6A DUAL P-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI-5L1.880G | 制造商:HITACHIMETAL 功能描述: |
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