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参数资料
| 型号： | SI5975DC-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 86 毫欧 @ 3.1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 450mV @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 1206-8 ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si5975DC
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.30
0.25
0.20
0.15
V GS = 1.8 V
V GS = 2.5 V
1000
800
600
400
C iss
0.10
0.05
0.00
V GS = 4.5 V
200
0
C rss
C oss
0
2
4
6
8
10
0
3
6
9
12
5
4
3
2
1
0
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 6 V
I D = 3.1 A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 4.5 V
I D = 3.1 A
0
1
2
3
4
5
6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
20
10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.25
0.20
T J - Junction Temperature ( °C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 3.1 A
0.15
T J = 150 °C
0.10
T J = 25 °C
0.05
1
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
1
2
3
4
5
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71320
S10-0936-Rev. C, 19-Apr-10
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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| 4301.6012 | MOD PWR ENTRY 2A QC 1POS PANEL |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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