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参数资料
| 型号： | SI5975DC-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 86 毫欧 @ 3.1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 450mV @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 1206-8 ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si5975DC
Vishay Siliconix
SPECIFICATIONS T J = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Static
Gate Threshold Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
On-State Drain Current a
V GS(th)
I GSS
I DSS
I D(on)
V DS = V GS , I D = - 1 mA
V DS = 0 V, V GS = ± 8 V
V DS = - 9.6 V, V GS = 0 V
V DS = - 9.6 V, V GS = 0 V, T J = 85 °C
V DS ≤ - 5 V, V GS = - 4.5 V
V GS = - 4.5 V, I D = - 3.1 A
- 0.45
- 10
0.070
± 100
-1
-5
0.086
V
nA
μA
A
Drain-Source On-State Resistance a
R DS(on)
V GS = - 2.5 V, I D = - 2.5 A
0.100
0.127
Ω
V GS = - 1.8 V, I D = - 1.0 A
0.131
0.164
Forward Transconductance a
g fs
V DS = - 5 V, I D = - 3.1 A
8
S
Diode Forward Voltage
a
V SD
I S = - 0.9 A, V GS = 0 V
- 0.8
- 1.2
V
Dynamic b
Total Gate Charge
Q g
5.7
9
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Turn-On Delay Time
Q gs
Q gd
t d(on)
V DS = - 6 V, V GS = - 4.5 V, I D = - 3.1 A
1.2
1.2
10
15
nC
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Source-Drain Reverse Recovery Time
t r
t d(off)
t f
t rr
V DD = - 6 V, R L = 6 Ω
I D ? - 1 A, V GEN = - 4.5 V, R g = 6 Ω
I F = - 0.9 A, dI/dt = 100 A/μs
20
31
26
40
30
45
40
60
ns
Notes:
a. Pulse test; pulse width ≤ 300 μs, duty cycle ≤ 2 %.
b. Guaranteed by design, not subject to production testing.
Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and functional operation
of the device at these or any other conditions beyond those indicated in the operational sections of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum
rating conditions for extended periods may affect device reliability.
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
8
V GS = 5 V thru 2.5 V
10
8
T C = - 55 °C
6
4
2
0
2V
1.5 V
1V
6
4
2
0
25 °C
125 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
www.vishay.com
2
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
Document Number: 71320
S10-0936-Rev. C, 19-Apr-10
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PDF描述 |
|---|---|
| 4301.6012 | MOD PWR ENTRY 2A QC 1POS PANEL |
| B32676E6685K | CAP FILM 6.8UF 630VDC RADIAL |
| M2032SS1W01-BA | SW TOGGLE 3PDT BAT THR SLV SLD |
| CX2016DB26000D0FLJC1 | CRYSTAL 26.000MHZ 8PF SMD |
| 5200.0823.1 | MOD PWR INLET STD FILTER 8A PNL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI5975DC-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:TrenchFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
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| SI5997DU-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 6A 10.4W 54mOhms @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI5999EDU-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 6A DUAL P-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI-5L1.880G | 制造商:HITACHIMETAL 功能描述: |
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