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参数资料
| 型号： | SI5980DU-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V PPAK CHIPFET |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 567 毫欧 @ 400mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 78pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 7.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? CHIPFET? 双 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? ChipFet 双 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI5980DU-T1-GE3DKR |
Si5980DU
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
3.0
V GS = 10 V thru 6 V
2.5
25 °C, unless otherwise noted
1.0
0. 8
2.0
0.6
1.5
1.0
V GS = 5 V
0.4
T C = 25 °C
0.5
0.2
T C = 125 °C
0.0
V GS = 4 V
0.0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1
2
3
4
5
6
0.60
0.57
0.54
0.51
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 10 V
100
8 0
60
40
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.4 8
0.45
20
0
C rss
C oss
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
20
40
60
8 0
100
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
2.3
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 1.3 A
V DS = 50 V
V DS = 25 V
2.0
1.7
I D = 0.4 A
V GS = 10 V
6
V DS = 75 V
1.4
4
1.1
2
0
0. 8
0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 65576
S10-0033-Rev. A, 11-Jan-10
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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