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参数资料
| 型号： | SI6404DQ-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 600mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 48nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.08W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si6404DQ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.015
6000
0.012
0.009
0.006
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
5000
4000
3000
2000
C iss
0.003
0.000
1000
0
C rss
C oss
0
6
12
18
24
30
0
6
12
18
24
30
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.8
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
V DS = 15 V
I D = 11 A
1.6
V GS = 10 V
I D = 11 A
1.4
6
1.2
4
1.0
2
0
0.8
0.6
0
15
30
45
60
75
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
30
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
0.05
0.04
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 11 A
10
0.03
0.02
T J = 25 °C
0.01
1
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Document Number: 71440
S-80682-Rev. B, 31-Mar-08
s
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| SI6404DQ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 11A 1.75W 9.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| SI6410DQ-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 7.8A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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