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参数资料
| 型号： | SI6404DQ-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 600mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 48nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.08W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si6404DQ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.4
0.2
0.0
- 0.2
- 0.4
- 0.6
- 0.8
I D = 250 μA
60
50
40
30
20
10
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
10 -2
10 -1
1
10
100
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
0.1
0.1
0.05
P DM
t 1
t 2
0.01
0.02
Single Pulse
t 1
1. Duty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 95 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
Square W ave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see http://www.vishay.com/ppg?71440 .
www.vishay.com
4
Document Number: 71440
S-80682-Rev. B, 31-Mar-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB2411S1W01-HC | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 3A 125V |
| SFELF10M7FA00-A0 | FILTER 10.7MHZ 280KHZ BAND RADIA |
| L4K212BJ104MD-T | CAP ARRAY 4CH 0.1UF 10V 0805 |
| 3386Y-1-503LF | TRIMMER 50K OHM 0.5W TH |
| MB2411S1W01-HB | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 3A 125V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI6404DQ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 11A 1.75W 9.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI6405DQ | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
| SI6410DQ | 功能描述:MOSFET 30V/20V NCh MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI6410DQ-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 7.8A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI6410DQ-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 7.8A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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