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参数资料
| 型号： | SI6404DQ-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 600mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 48nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.08W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR TSSOP-8
0.092
(2.337)
0.026
(0.660)
0.014
(0.356)
0.012
(0.305)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
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Document Number: 72611
Revision: 21-Jan-08
www.vishay.com
27
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI6413DQ-T1-E3 | MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP |
| SI6423DQ-T1-GE3 | MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP |
| SI6466ADQ-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP |
| SI6467BDQ-T1-GE3 | MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP |
| SI6924AEDQ-T1-GE3 | MOSFET N-CH 28V ESD 8-TSSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI6405DQ | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
| SI6410DQ | 功能描述:MOSFET 30V/20V NCh MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI6410DQ-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 7.8A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI6410DQ-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 7.8A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI6410DQ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 7.8A 1.5W 14mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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