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参数资料
| 型号： | SI7374DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.5 毫欧 @ 23.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 122nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5500pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 56W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si7374DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
80
60
40
20
V GS = 10 V thru 3 V
V GS = 4 V
5
4
3
2
1
T C = 125 °C
25 °C
0
V GS = 3 V
0
- 55 °C
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.0070
0.0065
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
8000
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
6000
C iss
0.0060
0.0055
0.0050
0.0045
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
4000
2000
C oss
0.0040
0
C rss
0
20
40
60
80
100
0
4
8
12
16
20
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
I D = 20 A
V DS = 15 V
1.4
I D = 23.8 A
V GS = 10 V
6
1.2
4
2
0
V DS = 24 V
1.0
0.8
0.6
0
20
40
60
80
100
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 73560
S-83039-Rev. B, 29-Dec-08
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SI7380ADP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 40A 83W 3.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7380ADP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 40A 83W 3.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7380DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI7382DP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 24A 5.0W 4.7mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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