- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录512 > SI7374DP-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SI7374DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.5 毫欧 @ 23.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 122nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5500pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 56W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si7374DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.022
0.018
0.014
I D = 23.8 A
0.010
0.006
25 °C
125 °C
1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.002
2
4
6
8
10
100.000
10.000
1.000
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
V DS = 30 V
50
40
30
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.100
0.010
0.001
V DS = 24 V
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
Limited by R DS(on) *
10
1
0.1
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10 s
Time (s)
Single Pulse Power
0.01
T A = 25 °C
Single Pulse
BVDSS Limited
DC
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 73560
S-83039-Rev. B, 29-Dec-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI7382DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V PPAK 8SOIC |
| SI7386DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK 8SOIC |
| SI7388DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V PPAK 8SOIC |
| SI7390DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC |
| SI7403BDN-T1-GE3 | MOSFET P-CH D-S 20V 1212-8 PPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI7380ADP-T1 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 31A 8PIN PWRPAK SO - Tape and Reel |
| SI7380ADP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 40A 83W 3.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7380ADP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 40A 83W 3.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7380DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI7382DP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 24A 5.0W 4.7mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。