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参数资料
| 型号： | SI7382DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V PPAK 8SOIC |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.7 毫欧 @ 24A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si7382DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.4
0.2
I D = 250 μA
200
160
0.0
- 0.2
- 0.4
120
80
- 0.6
40
- 0.8
- 1.0
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited by
R DS(on)*
10
1 ms
10 ms
1
100 ms
1s
10 s
0.1
0.01
T C = 25 °C
Single Pulse
DC
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Case
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
t 2
t 2
0.1
0.01
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
P DM
t 1
t 1
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 125 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 72580
S-80439-Rev. C, 03-Mar-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI7386DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK 8SOIC |
| SI7388DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V PPAK 8SOIC |
| SI7390DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC |
| SI7403BDN-T1-GE3 | MOSFET P-CH D-S 20V 1212-8 PPAK |
| SI7404DN-T1-E3 | MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 1212-8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI7384DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET |
| SI7384DP-T1 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
| SI7384DP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 18A 5.0W 8.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7384DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 18A 5.0W 8.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7386DP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30 Volt 19 Amp 5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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