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参数资料
| 型号： | SI7409ADN-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 30V PPAK 1212-8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 19 毫欧 @ 11A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si7409ADN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.030
4000
0.024
V GS = 2.5 V
3200
0.018
0.012
0.006
0.000
V GS = 4.5 V
2400
1600
800
0
C rss
C oss
C iss
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
25
30
5
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
4
3
2
1
0
V DS = 15 V
I D = 11 A
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V GS = 4.5 V
I D = 11 A
0
5
10
15
20
25
30
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
30
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.12
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
10
0.10
1
T J = 150 °C
0.08
I D = 11 A
0.06
0.1
0.04
0.01
T J = 25 °C
0.02
0.001
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 73246
S-83051-Rev. C, 29-Dec-08
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| SI7411DN-T1 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 7.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
| SI7411DN-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 11A 3.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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