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参数资料
| 型号： | SI7629DN-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.6 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 177nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5790pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 52W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI7629DN-T1-GE3DKR |
New Product
Si7629DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
80
10
64
48
32
V GS = 10 V thru 3 V
8
6
4
T C = 25 °C
V GS = 2 V
16
0
2
0
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.0
0.6
1.2
1.8
2.4
3.0
0.020
0.016
0.012
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
V GS = 2.5 V
8500
6800
5100
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
0.008
V GS = 4.5 V
3400
C rss
0.004
0.000
V GS = 10 V
1700
0
C oss
0
16
32 48
64
80
0
5 10 15
20
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
6
I D = 10 A
V DS = 10 V
1.4
1.2
I D = 20 A
V GS = 10 V
V GS = 2.5 V
V DS = 15 V
4
2
0
V DS = 20 V
1.0
0.8
0.6
0
25
50 75 100
125
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 70556
S12-0679-Rev. C, 26-Mar-12
For technical support, please contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
3
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| SI7634BDP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI7634BDP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 40A 48W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7634BDP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 40A 48W 5.4mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7634DP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 40A 48W 5.2mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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