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参数资料
| 型号： | SI7629DN-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.6 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 177nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5790pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 52W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI7629DN-T1-GE3DKR |
New Product
Si7629DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
100
10
0.025
0.020
1
T J = 150 °C
0.015
0.1
0.01
0.001
T J = 25 °C
0.010
0.005
0
T J = 125 °C
T J = 25 °C
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
0
1
2 3 4 5 6 7 8
9
10
0.8
0.6
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
100
80
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.4
0.2
I D = 250 μA
I D = 1 mA
60
40
0
- 0.2
- 0.4
20
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
Limited by R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
10
1
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single Pulse
BVDSS Limited
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
0.01
0.1 1 10
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area
www.vishay.com
4
For technical support, please contact: pmostechsupport@vishay.com
Document Number: 70556
S12-0679-Rev. C, 26-Mar-12
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI7634BDP-T1-E3 | MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC |
| SI7636DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC |
| SI7655DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V D-S PPAK 1212 |
| SI7658ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 60A PPAK 8SOIC |
| SI7682DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI7633DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 60A 104W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7634BDP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI7634BDP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 40A 48W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7634BDP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 40A 48W 5.4mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7634DP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 40A 48W 5.2mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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