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参数资料
| 型号： | SI7682DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 38nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1595pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 27.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si7682DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
50
40
V GS = 10 thru 4 V
1.2
1.0
0.8
30
0.6
20
0.4
T C = 125 °C
10
3V
0.2
25 °C
- 55 °C
0
0.0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.0
1.4
1.8
2.2
2.6
3.0
0.016
0.014
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
2000
1600
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
0.012
V GS = 4.5 V
1200
0.010
V GS = 10 V
800
C oss
0.008
0.006
400
0
C rss
0
10
20
30
40
50
0
6
12
18
24
30
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1.8
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
I D = 11 A
V DS = 10 V
1.6
I D = 12 A
V GS = 10 V
1.4
6
V DS = 15 V
1.2
4
2
0
V DS = 20 V
1.0
0.8
0.6
V GS = 4.5 V
0
5
10
15
20
25
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 73350
S09-0272-Rev. B, 16-Feb-09
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SI7684DP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 20A 27.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7684DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 20A 27.5W 9.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7686DP | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述: |
| SI7686DP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 35A 37.9W 9.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7686DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 35A 37.9W 9.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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