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参数资料
| 型号： | SI7682DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 38nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1595pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 27.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Package Information
www.vishay.com
PowerPAK ? SO-8, (Single/Dual)
Vishay Siliconix
H
E2
K
L
1
2
3
4
W
L1
Z
D
E3
E4
1
2
3
4
θ
θ
A1
Backside View of Single Pad
H
E2
E4
K
L
2
E1
E
Detail Z
D1
1
2
3
D2
4
Notes
1. Inch will govern.
2 Dimensions exclusive of mold gate burrs.
3. Dimensions exclusive of mold flash and cutting burrs.
MILLIMETERS
E3
Backside View of Dual Pad
INCHES
DIM.
MIN.
NOM.
MAX.
MIN.
NOM.
MAX.
A 0.97
A1
b 0.33
c 0.23
D 5.05
D1 4.80
D2 3.56
D3 1.32
1.04
-
0.41
0.28
5.15
4.90
3.76
1.50
1.12
0.05
0.51
0.33
5.26
5.00
3.91
1.68
0.038
0
0.013
0.009
0.199
0.189
0.140
0.052
0.041
-
0.016
0.011
0.203
0.193
0.148
0.059
0.044
0.002
0.020
0.013
0.207
0.197
0.154
0.066
D4
D5
0.57 typ.
3.98 typ.
0.0225 typ.
0.157 typ.
E 6.05
E1 5.79
E2 (for AL product) 3.30
6.15
5.89
3.48
6.25
5.99
3.66
0.238
0.228
0.130
0.242
0.232
0.137
0.246
0.236
0.144
E2 (for other product)
3.48
3.66
3.84
0.137
0.144
0.151
E3 3.68
3.78
3.91
0.145
0.149
0.154
E4 (for AL product)
E4 (for other product)
e
K (for AL product)
K (for other product)
0.58 typ.
0.75 typ.
1.27 BSC
1.45 typ.
1.27 typ.
0.023 typ.
0.030 typ.
0.050 BSC
0.057 typ.
0.050 typ.
K1 0.56
H 0.51
L 0.51
L1 0.06
-
0.61
0.61
0.13
-
0.71
0.71
0.20
0.022
0.020
0.020
0.002
-
0.024
0.024
0.005
-
0.028
0.028
0.008
?
0°
-
12°
0°
-
12°
W 0.15
0.25
0.36
0.006
0.010
0.014
M
ECN: C13-0702-Rev. K, 20-May-13
DWG: 5881
Revison: 20-May-13
0.125 typ.
1
0.005 typ.
Document Number: 71655
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI7726DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8 |
| SI7738DP-T1-E3 | MOSFET N-CH D-S 150V PPAK 8SOIC |
| SI7758DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 60A PPAK 8SOIC |
| SI7802DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8 |
| SI7810DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 100V 1212-8 PPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI7684DP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 20A 27.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7684DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 20A 27.5W 9.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7686DP | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述: |
| SI7686DP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 35A 37.9W 9.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7686DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 35A 37.9W 9.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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