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参数资料
| 型号： | SI7738DP-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 150V PPAK 8SOIC |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 38 毫欧 @ 7.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 53nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2100pF @ 75V |
| 功率 - 最大： | 96W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
Si7738DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
T J = 150 °C
150
120
90
10
60
30
T J = 25 °C
1
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
0.01
0.1
1
10
100
1000
4.2
3. 8
3.4
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
100
Time (s)
Single Pulse Power (Junction-to-Ambient)
3.0
10
125 °C
25 °C
2.6
I D = 250 μ A
2.2
1. 8
1
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
t a v (s)
Single Pulse Avalanche Current Capability vs. Time
0.10
100
Limited by R DS(on) *
0.0 8
I D = 7.7 A
10
100 μs
1 ms
0.06
T J = 125 °C
1
10 ms
100 ms
0.04
0.02
T J = 25 °C
0.1
0.01
1s
10 s
DC
T A = 25 °C
Single P u lse
0.00
0.001
0
2
4
6
8
10
0.1
1
10
100
1000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
4
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 69982
S09-0536-Rev. C, 06-Apr-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI7758DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 60A PPAK 8SOIC |
| SI7802DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8 |
| SI7810DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 100V 1212-8 PPAK |
| SI7812DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8 PPAK |
| SI7842DP-T1-GE3 | MOSFET DL N-CH 30V PPAK 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI7738DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 150V 30A 96W 38mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7742DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 60A 83W 3.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7748DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SI7748DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 50A 56W 4.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7758DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 60A 104W 2.9mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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