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参数资料
| 型号： | SI7848BDP-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 47A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2000pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 36W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si7848BDP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
60
10
T J = 150 °C
0.030
0.025
0.020
0.015
0.010
I D = 1 8 A
125 °C
1
T J = 25 °C
0.005
0.000
25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
2.4
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
50
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
2.2
I D = 250 μ A
40
2.0
1. 8
1.6
30
20
1.4
10
1.2
1.0
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
600
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
Limited b y R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power (Junction-to-Ambient)
100 μ s
10
1 ms
10 ms
1
100 ms
1s
0.1
T A = 25 °C
Single P u lse
10 s
DC
B V DSS Limited
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS
minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 74632
S09-0532-Rev. C, 06-Apr-09
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI7848BDP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 47A 36W 9.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7848BDP-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N CHANNEL MOSFET 40V 47A SOIC |
| SI7848DP | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N SO-8 |
| SI7848DP | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N SO-8 ((NS)) |
| SI7848DP-T1 | 功能描述:MOSFET 40V 17A 5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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