| 型号: | SI7898DP-T1-GE3 |
| 厂商: | Vishay Siliconix |
| 文件页数: | 1/8页 |
| 文件大小: | 0K |
| 描述: | MOSFET N-CH 150V 3A PPAK 8SOIC |
| 产品目录绘图: | DP-T1-(G)E3 Series 8-SOIC |
| 标准包装: | 1 |
| FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 3A |
| 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 85 毫欧 @ 3.5A,10V |
| Id 时的 Vgs(th)(最大): | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 21nC @ 10V |
| 功率 - 最大: | 1.9W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装: | PowerPAK? SO-8 |
| 包装: | 标准包装 |
| 产品目录页面: | 1663 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称: | SI7898DP-T1-GE3DKR |