- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录513 > SI7940DP-T1-E3 (Vishay Siliconix)MOSFET 2N-CH 12V 7.6A 8SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SI7940DP-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 12V 7.6A 8SOIC |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17 毫欧 @ 11.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 双 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 Dual |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si7940DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.05
0.04
0.03
V GS = 4.5 V
2500
2000
1500
C iss
0.02
V GS = 2.5 V
1000
C oss
0.01
0.00
500
0
C rss
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
12
5
4
3
2
1
0
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 6 V
I D = 11.8 A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 4.5 V
I D = 11.8 A
0
3
6
9
12
15
- 5 0
- 25
0
2 5
5 0
7 5
100
125
150
20
10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
0.05
0.04
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 5 A
0.03
I D = 11.8 A
0.02
T J = 25 °C
0.01
1
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71845
S09-0268-Rev. E, 16-Feb-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI7945DP-T1-GE3 | MOSFET DL P-CH 30V PPAK 8-SOIC |
| SI7948DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH DL 60V PWRPAK 8-SOIC |
| SI7956DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 150V 8-SOIC |
| SI7958DP-T1-GE3 | MOSFET DL N-CH 40V PPAK 8-SOIC |
| SI7964DP-T1-GE3 | MOSFET DUAL N-CH 60V PPAK 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI7940DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET Dual P-Ch 12V 17mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7941DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI7941DP-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 9.0A 1.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7941DP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 9.0A 1.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7942DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 100-V (D-S) MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。