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参数资料
| 型号： | SI7945DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DL P-CH 30V PPAK 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | 8-SOIC Mosfet Package |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 10.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 74nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1666 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI7945DP-T1-GE3DKR |
Si7945DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.6
0.4
40
30
I D = 250 μA
0.2
20
- 0.0
10
- 0.2
- 0.4
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
10
Limited by R DS(on)
I DM Limited
P(t) = 0.0001
P(t) = 0.001
1
0.1
I D(on)
Limited
T A = 25 °C
Single Pulse
P(t) = 0.01
P(t) = 0.1
P(t) = 1
P(t) = 10
DC
BVDSS Limited
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Safe Operating Area
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
0.1
0.1
0.05
P DM
t 1
t 2
t 2
0.01
0.02
Single Pulse
t 1
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 60 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
10- 3
10- 2
10- 1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 72090
S09-0227-Rev. D, 09-Feb-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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