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参数资料
| 型号： | SI7945DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DL P-CH 30V PPAK 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | 8-SOIC Mosfet Package |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 10.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 74nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1666 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI7945DP-T1-GE3DKR |
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR PowerPAK ? SO-8 Dual
0.260
(6.61)
0.150
(3.81)
0.024
(0.61)
0.026
(0.66)
0.024
(0.61)
0.050
(1.27)
0.032
(0.82)
0.040
(1.02)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
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www.vishay.com
16
Document Number: 72600
Revision: 21-Jan-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI7948DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH DL 60V PWRPAK 8-SOIC |
| SI7956DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 150V 8-SOIC |
| SI7958DP-T1-GE3 | MOSFET DL N-CH 40V PPAK 8-SOIC |
| SI7964DP-T1-GE3 | MOSFET DUAL N-CH 60V PPAK 8SOIC |
| SI7994DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI7946DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
| SI7946DP_06 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
| SI7946DP-T1 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
| SI7946DP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET DUAL N-CH 150V (D-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7946DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 150V 3.3A 3.5W 150mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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