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参数资料
| 型号： | SI8250-IQ |
| 厂商： | SILICON LABORATORIES |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | DIGITAL POWER CONTROLLER |
| 中文描述： | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PQFP32 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, LQFP-32 |
| 文件页数： | 11/30页 |
| 文件大小： | 932K |
| 代理商： | SI8250-IQ |
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Si8250/1/2
Preliminary Rev. 0.8
11
Table 11. Reset Electrical Characteristics
TA = –40 to +125 °C, VDD = 2.5 V, SYSCLK = 25 MHz, PLLCLK = 200 MHz unless otherwise specified.
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
RST Output Low Voltage
I
OL
= 8.5mA, VDD = 2.5V
—
—
0.7
V
RST Input High Voltage
0.7 x V
DD
—
—
V
RST Input Low Voltage
—
—
0.3 x V
DD
V
RST Input Pull-up Current
RST = 0.0
—
25
TBD
μA
VDD POR Threshold
2.0
2.1
2.2
V
Missing clock detector timeout
Time from last system clock ris-
ing edge to start of reset
—
250
650
μs
Reset time delay
Delay between release of any
reset source and code execu-
tion at location 0x0000
5.0
—
—
μs
Minimum RST Low time to gen-
erate a System Reset
6.5
—
—
μs
VDD monitor turn-on time
100
—
—
μs
VDD monitor supply current
—
40
—
μA
Table 12. Flash Electrical Characteristics
TA = –40 to +125 °C, VDD = 2.25 V – 2.75 V, SYSCLK = 25 MHz, PLLCLK = 200 MHz unless otherwise specified.
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Flash Size
Si8250
32768
(1)
—
—
bytes
Si8251, Si8252
16383
(1)
—
—
Endurance
10 K
100 K
—
Erase/Write
Read Cycle Time
TBD
—
—
ns
Erase Cycle Time
50 MHz System Clock
32
—
48
ms
Write Cycle Time
50 MHz System Clock
76
—
114
μs
Notes:
1.
The last 512 bytes of memory are reserved.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI8401DB-T1 | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold |
| SI8401DB-T1-E3 | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold |
| SI8401DB | Single P-Channel MOSFET; |
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| SI8402DB-T1 | 20-V N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SI8251-IQ | 功能描述:功率驱动器IC SMPS Controller RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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