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参数资料
| 型号： | SI8250-IQ |
| 厂商： | SILICON LABORATORIES |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | DIGITAL POWER CONTROLLER |
| 中文描述： | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PQFP32 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, LQFP-32 |
| 文件页数： | 8/30页 |
| 文件大小： | 932K |
| 代理商： | SI8250-IQ |
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Si8250/1/2
8
Preliminary Rev. 0.8
Table 7. Peak Current Limit Detector Electrical Specifications
TA = –40 to +125 °C, VDD = 2.5 V, SYSCLK = 25 MHz, PLLCLK = 200 MHz unless otherwise specified.
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
IPK Input to DPWM Output Latency
10 mV Overdrive
—
45
—
ns
Threshold Detector Voltage
VT[3:0] = 0000
35
50
65
mV
VT[3:0] = 0001
85
100
115
VT[3:0] = 0010
135
150
165
VT[3:0] = 0011
185
200
215
VT[3:0] = 0100
235
250
265
VT[3:0] = 0101
285
300
315
VT[3:0] = 0110
335
350
365
VT[3:0] = 0111
485
400
415
VT[3:0] = 1000
435
450
465
VT[3:0] = 1001
485
500
515
VT[3:0] = 1010
535
550
565
VT[3:0] = 1011
585
600
615
VT[3:0] = 1100
635
650
665
VT[3:0] = 1101
685
700
715
VT[3:0] = 1110
735
750
765
VT[3:0] = 1111
785
800
815
Hysteresis
HYST[1:0] = 00
—
0
—
mV
HYST[1:0] = 01
—
5
—
HYST[1:0] = 10
—
10
—
HYST[1:0] = 11
—
20
—
Blanking Time
LEB[1:0] = 00, f
PLL
= 200 MHz
—
0
—
ns
LEB[1:0] = 01, f
PLL
= 200 MHz
—
20
—
LEB[1:0] = 10, f
PLL
= 200 MHz
—
40
—
LEB[1:0] = 11, f
PLL
= 200 MHz
—
80
—
Input Capacitance
—
4.5
—
pF
Input Bias Current
—
0.1
—
μA
Shutdown Supply Current
Enable bit = 0
—
0.1
—
μA
Active Supply Current
IIN = (Vt + 100 mVpp),
1.5 MHz sq. wave
—
100
—
μA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| SI8251-IQ | 功能描述:功率驱动器IC SMPS Controller RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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