参数资料
型号: SI8401AB-B-IS
厂商: Silicon Laboratories Inc
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描述: ISOL DGTL 2.5KVRMS 2CH 8SOIC
视频文件: Digital Isolation Overview
Digital Isolators vs. Optocouplers
标准包装: 96
输入 - 1 侧/2 侧: 2/1
通道数: 2
电源电压: 3 V ~ 5.5 V
电压 - 隔离: 2500Vrms
数据速率: 10Mbps
输出类型: 开路漏极
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 管件
工作温度: -40°C ~ 125°C
Si840x
2
Rev. 1.6
相关PDF资料
PDF描述
1587H24C1 POWER STRIP 70" 15A 24OUT 6'C
SI8400AB-B-IS IC ISOLATOR BIDIR I2C 8-SOIC
M-ODC24A OUTPUT MODULE DC 13MA 24VDC
SI8463BB-B-IS1 IC ISOLATOR 6CH 5.5V 16-SOIC
KAL25JB10R0 RES 10 OHM 25W 5% WW ALM
相关代理商/技术参数
参数描述
SI8401AB-B-ISR 功能描述:隔离器接口集成电路 2.5 kV Bidirect I2C Isolator 1.7MHz RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
SI8401DB 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI8401DB-T1 功能描述:MOSFET 20V 4.9A 1.47W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI8401DB-T1-E1 功能描述:MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI8401DB-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube