参数资料
型号: SI8401AB-B-IS
厂商: Silicon Laboratories Inc
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文件大小: 0K
描述: ISOL DGTL 2.5KVRMS 2CH 8SOIC
视频文件: Digital Isolation Overview
Digital Isolators vs. Optocouplers
标准包装: 96
输入 - 1 侧/2 侧: 2/1
通道数: 2
电源电压: 3 V ~ 5.5 V
电压 - 隔离: 2500Vrms
数据速率: 10Mbps
输出类型: 开路漏极
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 管件
工作温度: -40°C ~ 125°C
Si840x
10. Package Outline: 16-Pin Narrow Body SOIC
Figure 22 illustrates the package details for the Si840x in a 16-pin narrow-body SOIC (SO-16). Table 19 lists the
values for the dimensions shown in the illustration.
Figure 22. 16-pin Small Outline Integrated Circuit (SOIC) Package
Table 19. Package Diagram Dimensions
Dimension
A
A1
A2
b
c
D
E
E1
e
L
Min
0.10
1.25
0.31
0.17
0.40
9.90 BSC
6.00 BSC
3.90 BSC
1.27 BSC
Max
1.75
0.25
0.51
0.25
1.27
28
L2
Rev. 1.6
0.25 BSC
相关PDF资料
PDF描述
1587H24C1 POWER STRIP 70" 15A 24OUT 6'C
SI8400AB-B-IS IC ISOLATOR BIDIR I2C 8-SOIC
M-ODC24A OUTPUT MODULE DC 13MA 24VDC
SI8463BB-B-IS1 IC ISOLATOR 6CH 5.5V 16-SOIC
KAL25JB10R0 RES 10 OHM 25W 5% WW ALM
相关代理商/技术参数
参数描述
SI8401AB-B-ISR 功能描述:隔离器接口集成电路 2.5 kV Bidirect I2C Isolator 1.7MHz RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
SI8401DB 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI8401DB-T1 功能描述:MOSFET 20V 4.9A 1.47W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI8401DB-T1-E1 功能描述:MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI8401DB-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube