参数资料
型号: SI8401DB-T1
厂商: Vishay Intertechnology,Inc.
元件分类: MOSFETs
英文描述: P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
中文描述: P通道20 - V(下局副局长)MOSFET的低阈值
文件页数: 4/5页
文件大小: 83K
代理商: SI8401DB-T1
Si8401DB
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
Document Number: 71674
S-40384—Rev. F, 01-Mar-04
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
10
3
10
2
1
10
600
10
1
10
4
100
0.001
0
40
80
60
10
Single Pulse Power, Juncion-To-Ambient
Time (sec)
20
P
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 72 C/W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
10
3
10
2
10
10
1
10
4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
0.01
0.1
1
0.2
0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
50
25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
Temperature ( C)
1
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PDF描述
SI8401DB-T1-E3 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
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SI8402DB 20-V N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI8402DB-T1 20-V N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
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参数描述
SI8401DB-T1-E1 功能描述:MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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