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参数资料
| 型号： | SI8465DB-T2-E1 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 104 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 450pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 780mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 4-XFBGA，CSPBGA |
| 供应商设备封装： | 4-Microfoot |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI8465DB-T2-E1DKR |
Si8465DB
Vishay Siliconix
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
- 20
R DS(on) ( Ω )
0.104 at V GS = - 4.5 V
0.148 at V GS = - 2.5 V
I D
(A) a, e
- 3.8
- 3.2
Q g (Typ.)
6 nC
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
? Load Switches, Battery Switches and Charger Switches
in Portable Device Applications
? DC/DC Converters
MICRO FOOT
B u mp Side V ie w
Backside V ie w
S
S
S
2
3
G
D
1
4
G
Device Markin g : 8 465
xxx = Date/Lot Tracea b ility Code
Orderin g Information: Si 8 465DB-T2-E1 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
D
P-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T A = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
- 20
± 12
- 3.8 a
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
T A = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
T A = 25 °C
I D
I DM
I S
- 3 a
- 2.5 b
- 2.0 b
- 15
- 1.5 a
- 0.65 b
1.8 a
A
Maximum Power Dissipation
T A = 70 °C
T A = 25 °C
P D
1.1 a
0.78 b
W
T A = 70 °C
0.5 b
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
Package Reflow Conditions c
VPR
IR/Convection
260
260
°C
Notes:
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board with full copper, t = 10 s.
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board with minimum copper, t = 10 s.
c. Refer to IPC/JEDEC (J-STD-020C), no manual or hand soldering.
d. In this document, any reference to case represents the body of the MICRO FOOT device and foot is the bump.
e. Based on T A = 25 °C.
Document Number: 65363
S09-1922-Rev. A, 28-Sep-09
www.vishay.com
1
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SI8466EDB-T2-E1 | 功能描述:MOSFET 8V 5.4A 1.8W 43mOhms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI8467DB | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
| SI8467DB-T2-E1 | 功能描述:MOSFET -20V 3.4A 1.8W 73mOhms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI84-680 | 制造商:DELTA 制造商全称:Delta Electronics, Inc. 功能描述:SMT Power Inductor |
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