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参数资料
| 型号： | SI8465DB-T2-E1 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 104 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 450pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 780mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 4-XFBGA，CSPBGA |
| 供应商设备封装： | 4-Microfoot |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI8465DB-T2-E1DKR |
Si8465DB
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
15
12
9
6
V GS = 5 V thr u 3 V
V GS = 2.5 V
5
4
3
2
T C = 125 °C
3
V GS = 2 V
1
T C = 25 °C
0
V GS = 1.5 V
0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.25
0.20
0.15
0.10
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 2.5 V
8 00
600
400
200
C iss
C oss
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C rss
V GS = 4.5 V
0.05
0
0
3
6
9
12
15
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1.20
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 1 A
1.15
I D = 1.5 A
V GS = 4.5 V
8
V DS = 10 V
1.10
V GS = 2.5 V
6
4
V DS = 5 V
V DS = 16 V
1.05
1.00
0.95
2
0.90
0
0. 8 5
0
4
8
12
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 65363
S09-1922-Rev. A, 28-Sep-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI8800EDB-T2-E1 | MOSFET N-CH D-S 20V MICROFOOT |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI8466EDB | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 8 V (D-S) MOSFET |
| SI8466EDB-T2-E1 | 功能描述:MOSFET 8V 5.4A 1.8W 43mOhms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI8467DB | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
| SI8467DB-T2-E1 | 功能描述:MOSFET -20V 3.4A 1.8W 73mOhms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI84-680 | 制造商:DELTA 制造商全称:Delta Electronics, Inc. 功能描述:SMT Power Inductor |
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