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参数资料
| 型号： | SI8465DB-T2-E1 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 104 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 450pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 780mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 4-XFBGA，CSPBGA |
| 供应商设备封装： | 4-Microfoot |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI8465DB-T2-E1DKR |
Si8465DB
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
4
3
1.5
1.2
0.9
2
0.6
1
0.3
0
0.0
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
T A - Am b ient Temperat u re (°C)
Current Derating*
T A - Am b ient Temperat u re (°C)
Power Derating
Note:
When Mounted on 1" x 1" FR4 with Full Copper.
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
Document Number: 65363
S09-1922-Rev. A, 28-Sep-09
www.vishay.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI8800EDB-T2-E1 | MOSFET N-CH D-S 20V MICROFOOT |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI8466EDB | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 8 V (D-S) MOSFET |
| SI8466EDB-T2-E1 | 功能描述:MOSFET 8V 5.4A 1.8W 43mOhms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI8467DB | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
| SI8467DB-T2-E1 | 功能描述:MOSFET -20V 3.4A 1.8W 73mOhms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI84-680 | 制造商:DELTA 制造商全称:Delta Electronics, Inc. 功能描述:SMT Power Inductor |
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