参数资料
型号: SI8662EC-B-IS1
厂商: Silicon Laboratories Inc
文件页数: 14/40页
文件大小: 0K
描述: IC ISOLATOR 6CH 3.75KV 16-SOIC
标准包装: 48
输入 - 1 侧/2 侧: 4/2
通道数: 6
电源电压: 2.5 V ~ 5.5 V
电压 - 隔离: 3750Vrms
数据速率: 150Mbps
传输延迟: 8ns
输出类型: 逻辑
封装/外壳: 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 16-SOIC N
包装: 管件
工作温度: -40°C ~ 125°C
其它名称: 336-2126-5
Si8660/61/62/63
Table 4. Electrical Characteristics (Continued)
(V DD1 = 2.5 V ±5%, V DD2 = 2.5 V ±5%, T A = –40 to 125 °C)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
DC Supply Current (All inputs 0 V or at supply)
Si8660Bx, Ex
V DD1
V I = 0(Bx), 1(Ex)
1.2
1.9
V DD2
V DD1
V DD2
V I = 0(Bx), 1(Ex)
V I = 1(Bx), 0(Ex)
V I = 1(Bx), 0(Ex)
3.5
8.8
3.7
5.3
12.3
5.6
mA
Si8661Bx, Ex
V DD1
V I = 0(Bx), 1(Ex)
1.7
2.7
V DD2
V DD1
V DD2
V I = 0(Bx), 1(Ex)
V I = 1(Bx), 0(Ex)
V I = 1(Bx), 0(Ex)
3.4
7.9
4.8
5.1
11.1
7.2
mA
Si8662Bx, Ex
V DD1
V I = 0(Bx), 1(Ex)
2.2
3.3
V DD2
V DD1
V DD2
V I = 0(Bx), 1(Ex)
V I = 1(Bx), 0(Ex)
V I = 1(Bx), 0(Ex)
3.0
7.5
5.6
4.5
10.5
8.4
mA
Si8663Bx, Ex
V DD1
V I = 0(Bx), 1(Ex)
2.6
3.9
V DD2
V DD1
V DD2
V I = 0(Bx), 1(Ex)
V I = 1(Bx), 0(Ex)
V I = 1(Bx), 0(Ex)
2.6
6.5
6.5
3.9
9.1
9.1
mA
Notes:
1. The nominal output impedance of an isolator driver channel is approximately 50 ? , ±40%, which is a combination of
the value of the on-chip series termination resistor and channel resistance of the output driver FET. When driving
loads where transmission line effects will be a factor, output pins should be appropriately terminated with controlled
impedance PCB traces.
2. t PSK(P-P) is the magnitude of the difference in propagation delay times measured between different units operating at
the same supply voltages, load, and ambient temperature.
3. Start-up time is the time period from the application of power to valid data at the output.
14
Rev. 1.5
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Si8663BC-B-IS1 功能描述:隔离器接口集成电路 6 Ch 3.75 kV Isolator 150M 3/3 NB RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube