- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18865 > SI9407BDY-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SI9407BDY-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 3.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 600pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1665 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI9407BDY-T1-GE3DKR |
New Product
Si9407BDY
Vishay Siliconix
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
- 60
R DS(on) ( Ω )
0.120 at V GS = - 10 V
0.150 at V GS = - 4.5 V
I D (A) a
- 4.7
- 4.2
Q g (Typ.)
8 nC
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 100 % UIS Tested
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
? Primary Side Switch
SO-8
S
S
S
1
2
8
7
D
D
S
G
3
4
6
5
D
D
G
Top V ie w
D
Orderin g Information: Si9407BDY-T1-E3 (Lead (P b )-free)
Si9407BDY-T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
P-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
- 60
± 20
- 4.7
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
T C = 70 °C
T A = 25 °C
I D
- 3.8
- 3.2 b, c
Pulsed Drain Current (10 μs Width)
Continuous Source-Drain Diode Current
Avalanche Current
Single-Pulse Avalanche Energy
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
L = 0.1 mH
I DM
I S
I AS
E AS
- 2.6 b, c
- 20
- 4.2
- 2 b, c
- 15
11
A
mJ
T C = 25 °C
5
Maximum Power Dissipation
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
3.2
2.4 b, c
W
T A = 70 °C
1.5 b, c
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
b, d
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R thJA
R thJF
42
19
53
25
°C/W
Notes:
a. Based on T C = 25 °C.
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
c. t = 10 s.
d. Maximum under Steady State conditions is 85 °C/W.
Document Number: 69902
S09-0704-Rev. B, 27-Apr-09
www.vishay.com
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PRF21BD471QB5RA | THERMISTOR |
| PRF21BC471QB5RA | THERMISTOR |
| PRF21BB471QB5RA | THERMISTOR |
| PRF21BA471QB5RA | THERMISTOR |
| PRF21AS471QB5RA | THERMISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI9407BDY-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CHANNEL MOSFET -60V 4.7A SOIC |
| SI9407DY | 制造商:SILX 功能描述: |
| SI9410BDY | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 8-Pin SOIC N 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N SO-8 |
| SI9410BDY_05 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI9410BDY-E3 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 8-Pin SOIC N 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET Transistor Transistor Polarity:NP |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。