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参数资料
| 型号： | SI9407BDY-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 3.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 600pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1665 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI9407BDY-T1-GE3DKR |
New Product
Si9407BDY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
25
20
15
10
V GS = 10 V thr u 5 V
V GS = 4 V
5
4
3
2
T C = 25 °C
5
V GS = 3 V
1
T C = 150 °C
0
0
T C = - 55 °C
0
1
2
3
4
5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.30
0.25
0.20
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
1000
8 00
600
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.15
V GS = 4.5 V
0.10
V GS = 10 V
400
0.05
0
200
0
C rss
C oss
0
5
10
15
20
0
10
20
30
40
50
60
10
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 3.2 A
1.6
I D = 3.2 A
V GS = 10 V
1.4
6
4
V DS = 30 V
1.2
V GS = 4.5 V
1.0
2
0
0. 8
0.6
0
3
6
9
12
15
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 69902
S09-0704-Rev. B, 27-Apr-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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参数描述 |
|---|---|
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| SI9407DY | 制造商:SILX 功能描述: |
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| SI9410BDY-E3 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 8-Pin SOIC N 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET Transistor Transistor Polarity:NP |
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