参数资料
型号: SI9407BDY-T1-GE3
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 4/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC
产品目录绘图: DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC
标准包装: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 120 毫欧 @ 3.2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 600pF @ 30V
功率 - 最大: 5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 标准包装
产品目录页面: 1665 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: SI9407BDY-T1-GE3DKR
New Product
Si9407BDY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.30
0.25
I D = 3.2 A
0.20
T A = 125 °C
10
T J = 150 °C
0.15
T A = 25 °C
1
T J = 25 °C
0.10
0.05
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
2
4
6
8
10
0.6
0.4
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
30
25
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
I D = 250 μ A
20
0.2
15
0
10
- 0.2
- 0.4
5
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
10
1
0.1
Limited by R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100 μ s
1 m s
10 ms
100 ms
1s
10 s
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
B V DSS
Limited
DC
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area
www.vishay.com
4
Document Number: 69902
S09-0704-Rev. B, 27-Apr-09
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