参数资料
型号: SI9407BDY-T1-GE3
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 5/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC
产品目录绘图: DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC
标准包装: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 120 毫欧 @ 3.2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 600pF @ 30V
功率 - 最大: 5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 标准包装
产品目录页面: 1665 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: SI9407BDY-T1-GE3DKR
New Product
Si9407BDY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
6
5
5
4
4
3
3
2
2
1
0
1
0
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Current Derating*
T C - Case Temperat u re (°C)
Power Derating
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
Document Number: 69902
S09-0704-Rev. B, 27-Apr-09
www.vishay.com
5
相关PDF资料
PDF描述
PRF21BD471QB5RA THERMISTOR
PRF21BC471QB5RA THERMISTOR
PRF21BB471QB5RA THERMISTOR
PRF21BA471QB5RA THERMISTOR
PRF21AS471QB5RA THERMISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
SI9407BDY-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CHANNEL MOSFET -60V 4.7A SOIC
SI9407DY 制造商:SILX 功能描述:
SI9410BDY 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 8-Pin SOIC N 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N SO-8
SI9410BDY_05 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI9410BDY-E3 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 8-Pin SOIC N 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET Transistor Transistor Polarity:NP