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参数资料
| 型号： | SI9976DY-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRVR MOSF 1/2BRDG N-CH 14SOIC |
| 标准包装： | 550 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 350ns |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 40V |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 16.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 14-SOICN |
| 包装： | 散装 |
Si9976
Vishay Siliconix
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Voltage on IN, EN (pins 5, 6)
with respect to ground . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ? 0.3 to V DD +0.3 V
Voltage on V CC (pin 7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ? 0.3 to +18 V
Voltage on V+, S1 (pins 3, 13) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ? 0.3 to +50 V
Voltage on CAP, G1 a (pins 2, 12) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ? 0.3 to +60 V
Peak Output Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5 A
Operating Temperature (T A ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ? 40 to 85 _ C
Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ? 50 to 150 _ C
SPECIFICATIONS a
Maximum Junction Temperature (T J ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125 _ C
Power Dissipation b . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 W
Q JA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 _ C/W b
Notes
a. Internally generated voltage for reference only.
b. Derate 10 mW/ _ C above 25 _ C.
c. PC board mounted with no forced air flow.
Test Conditions
UnlessOtherwise Specified
Limits
D Suffix ? 40 to 85 _ C
Parameter
Symbol
V+ = 20 to 40 V
T A = Operating Temperature Range
Min c
Typ b
Max c
Unit
Input
Input Voltage High (EN and IN)
V INH
4.0
Input Voltage Low (EN and IN)
Input Hysteresis Voltage
V INL
V H
0.5
1.0
V
Input Current—Input Voltage High
Input Current—Input Voltage Low
I INH
I INL
(EN and IN) V IN = 15 V
(EN and IN) V IN = 0 V
? 1
1
m A
Output
Output Voltage High, G1 d
Output Voltage High, G2 e
V OUTH
S1 = V+, I OUT = ? 10 mA
S1 = GND, I OUT = ? 10 mA
10
12
12
15
Output Voltage Low, G1 and G2
V OUTL
S1 = GND, I OUT = 60 mA
1.2
3
Fault Output Voltage High
Fault Output Voltage Low
V OH
V OL
V CC = 4.5 V, I OUT = ? 0.2 mA
V CC = 4.5 V, I OUT = 0.6 mA
3.5
4
0.3
1.0
V
Undervoltage Lockout 1
Undervoltage Lockout 2
UVL1
UVL2
11
14
Capacitor Voltage g
V CAP
V+ = 40V
55
Capacitor Current
I CAP
S1 = GND, V CAP = 0 V
S1 = GND, V CAP = 9 V
? 10
? 2
mA
Supply
V+ Supply Range
20
40
V
V+ Supply Current
V CC Supply Range
V CC Supply Current
I+ (H)
I+ (L)
I CC
G2 High, No Load
G2 Low, No Load, S1 = GND
V CC = 16.5 V
4.5
1.7
2
3.5
4.5
16.5
10
mA
V
m A
V DD Supply Voltage f
V DD
15
16
17.5
V
www.vishay.com
2
Document Number: 70016
S-40757—Rev. F, 19-Apr-04
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| SI9978DW | 功能描述:功率驱动器IC Half Bridge Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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