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参数资料
| 型号： | SIA911EDJ-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DL 20V PWRPAK SC70-6 |
| 产品目录绘图： | Mosfet SC70-6, SC75-6 Package |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 101 毫欧 @ 2.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 8V |
| 功率 - 最大： | 1.9W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SC-70-6 双 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SC-70-6 双 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1666 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SIA911EDJ-T1-GE3DKR |
SiA911EDJ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
20
25 °C, unless otherwise noted
10 3
15
10
5
10 2
10 1
1
10 -1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0
10 -2
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
10
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Gate Current vs. Gate-to-Source Voltage
5
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Gate Current vs. Gate-to-Source Voltage
T C = - 55 °C
V GS = 5 thr u 2.5 V
8
4
6
4
V GS = 2 V
3
2
2
V GS = 1.5 V
1
T C = 25 °C
T C = 125 °C
V GS = 1 V , 0.5 V
0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.4
0. 8
1.2
1.6
2.0
0.35
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
8
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.2 8
V GS = 1. 8 V
6
I D = 3.6 A
V DS = 10 V
0.21
4
0.14
0.07
0.00
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
2
0
V DS = 16 V
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
Document Number: 68927
S09-0389-Rev. B, 09-Mar-09
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SIA912DJ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 4.5A 6.5W 40mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIA913ADJ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 4.5A 6.5W 61mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIA913DJ-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 12V 4.5A 6.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIA913DJ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 4.5A 6.5W 70mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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