型号: | SIA911EDJ-T1-GE3 |
厂商: | Vishay Siliconix |
文件页数: | 8/9页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET P-CH DL 20V PWRPAK SC70-6 |
产品目录绘图: | Mosfet SC70-6, SC75-6 Package |
标准包装: | 1 |
FET 型: | 2 个 P 沟道(双) |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 3.6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 101 毫欧 @ 2.7A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 11nC @ 8V |
功率 - 最大: | 1.9W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | PowerPAK? SC-70-6 双 |
供应商设备封装: | PowerPAK? SC-70-6 双 |
包装: | 标准包装 |
产品目录页面: | 1666 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称: | SIA911EDJ-T1-GE3DKR |