- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录514 > SIA911EDJ-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET P-CH DL 20V PWRPAK SC70-6 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SIA911EDJ-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DL 20V PWRPAK SC70-6 |
| 产品目录绘图： | Mosfet SC70-6, SC75-6 Package |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 101 毫欧 @ 2.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 8V |
| 功率 - 最大： | 1.9W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SC-70-6 双 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SC-70-6 双 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1666 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SIA911EDJ-T1-GE3DKR |
SiA911EDJ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
8
6
4
2
0
Package limited
8
6
4
2
0
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Current Derating*
T C - Case Temperat u re (°C)
Power Derating
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
Document Number: 68927
S09-0389-Rev. B, 09-Mar-09
www.vishay.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIA914DJ-T1-GE3 | MOSFET DL N-CH 20V PPAK SC70-6 |
| SIA917DJ-T1-GE3 | MOSFET P-CH DL 20V PWRPAK SC70-6 |
| SIB406EDK-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 20V SC-75-6 |
| SIB408DK-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V PPAK SC75-6L |
| SIB412DK-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIA912DJ-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 12V 4.5A 6.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIA912DJ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 4.5A 6.5W 40mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIA913ADJ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 4.5A 6.5W 61mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIA913DJ-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 12V 4.5A 6.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIA913DJ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 4.5A 6.5W 70mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。